157nm F2：每家大型光刻公司都在研讨，但唯独东洋尼康第一个推出了达到商用标准的产品。
是以实现摩尔定律的前提就是减小K1、λ的数值，搞大NA的数值。
比拟磨镜头这类比较坑爹见效很慢的耐烦活，收缩光的波长就成了晋升光刻机精度最为直接也最为优先的手腕。
得益于东洋强大的电子配套财产气力，环绕着157nm光源，东洋系电子财产链参与出来了无数的大小公司，成果都被一起打折了脊梁，在梁远偷渡之前，东洋广场和谈以后，东洋经济之以是失落长达二十年之久，林本坚博士绝对功不成没。
因为光本质是波的原因，在微观物理天下波长越短的光精度就越高，换句话说光的波长越短，在晶圆上刻下的线就越细。
也不晓得东洋是幸还是不幸，得益于其百姓性的工匠精力死磕波长收缩的尼康失实巨大，第一个处理了困扰天下十来年的光源波长题目。
九十年代初期，光刻机的精度进入到1.0微米以下以后，高压汞灯所供应的356nm波长就显得很大了，是以KrF 激光器成了光刻机的支流光源，其产生的248 nm波长的光源充足把晶圆出产线的线宽推动到纳米期间。
初期光刻机土鳖的很，根基都是从电影摄像机上改革出来的，暴光光源也比较奇葩从光谱红外端到近紫外段用啥的都有，
时候到了八十年代，光刻机的支流光源开端利用高压汞灯，其波长为365nm财产界管这玩意叫～ i-line。
另有一部分胆量不小脾气激进的研发职员直接站队Euv，而最激进的就是看好电子束直写技术是将来冲破193nm光源的最好挑选。
λ这玩意颠末任务九年的都晓得，代表着光的波长，在公式中波长越低光刻机的精度就越高。
157nm 光会被现有支流193nm机器所用的镜片接收，光刻胶也要重新研制，以是产线改革难度极大，几近是另起炉灶的重新再来，而157nm光源对 193nm的波长进步只要不到 25%，研发投入产出比实在太低。
如果以大范围贸易性利用为标准线，大抵上看，六十年代是打仗式光刻机、靠近式光刻机的期间，到七十年代光刻机设备支流更新到了投影式光刻机，八十年代更新到步进式光刻机，九十年代更新到步进式扫描光刻机，新世纪初期浸入式光刻机大行其道。
尼康在被ASML击败以后，曾压宝电子束直写技术搏命一搏，可惜这玩意的研发难度可谓电子行业的可控核聚变，直到梁远偷渡那一刻也没听到入坑十年的尼康搞出甚么大消息。
二十一世纪以后，得益于华人科学家林本坚博士的光刻胶上方加水创意，俄然获得大绝招的ASML以侵入式光刻机一举把日系光刻机厂商从云端打入灰尘，只用了不到几年时候就把持了环球70%的光刻机市场。
因为芯片财产属于妙技术行业的原因，前沿和出产一线的联络非常紧密，尝试室的研发窘境很快就传导到了财产界，成果固然193nm的光源还未提高，但将来的阵营已经模糊有了迹象。
在电子财产光荣193nm光源因为利用范围极广导致研发本钱降落的愉悦压根就没享用几天，光刻光源的收缩之旅直接被卡在193nm没法进步。
自九十年代中期开端，科学家和电子财产界提出了各种超出 193nm 的计划，此中包含 157nm F2 激光，电子束投射(EPL)，离子投射(IPL)、EUV(13.5nm)和 X 光，几年的生长以后活着纪之交构成了几大技术阵营。
一样，在九十年代初，处置电子财产研发的各至公司前沿尝试室，已经发觉193nm波长以后，光源的生长俄然堕入了极大的窘境，现有的质料完整不支撑更短波长的光源有多量量利用的能够，持续收缩波长只能依托于新质料的发明或者死磕收益率不高的153nm波长的光源，更新现有电子财产的大部分设备。
这件事绝对能够载入人类电子财产的生长史，能够说林本坚博士以一己之力直接击沉了东洋电子财产都不为过，要晓得尼康研发157nm的光源毫不是一个光源的题目，其配套的镜头、光刻胶、化学制剂、车间电路等等几近都是全新的，差未几即是把全部晶圆出产线或者电子财产根本全都换了一遍。
不过跟着摩尔定律的见效，光源敏捷从红外端向紫外端挪动，镜头也敏捷超出了电影镜头所要求的精度，越来越专业加工越来越难。
0.004nm EBDW 或 EPL:朗讯～贝尔尝试室、IBM、佳能、尼康，ASML被聘请插手后又率先退出，这个阵营的学名叫做电子束直写技术，是统统光刻技术阵营中看起来最吊也最浪漫的阿谁，一样也是光刻技术的物理极限，更是方伟林的首要来意。
电子束直写技术因为电子束的特性原因，在精度上能够抢先暴光技术4、五个世代，也就是说在晶圆出产线支流技术为1.0微米的期间，电子束直写技术能够把制程线宽直接推动到0.13微米。
1nm靠近式 X 光：这个阵营包含ASET、Mitsubishi，、NEC、Toshiba，、NTT、IBM、摩托罗拉，这也是一个被林本坚博士击沉的阵营，因为尝试室向来比财产界前沿的原因，这个阵营肇端于八十年底期，采取靠近式暴光体例出产，原打算能够作为157光源以后的后补技术退场，到了新世纪固然没有尼康那般不利刚好产品成熟，不过美日两国也各安闲这个方向上投入了数十亿美圆的巨资，还未问世就已经凉凉也不晓得是幸还是不幸。
经费有限，小我又都以为面对若隐若现的193nm门槛，本身的方向才是精确的，在梁远不干预的环境下港基集电内部已经吵成了一团，而电子束直写计划是第一个被港基集电高层枪毙掉的计划。
但可惜的是，彼时华人科学家林本坚博士光刻胶上加水的创意已经把193光源的波长通过折射直接变成137nm将来更把193光源的线宽直接推动到了十纳米以下，直接把尼康投入巨资所研发的技术毫无牵挂的送回了故乡。
按照瑞利公式：CD=k1*(λ/NA)，此中CD代表着暴光尺寸或者叫做光刻的最小尺寸，比如5.0微米、3.0微米甚么的，乃至直接代指晶圆出产线的技术标准，K1代表着滋扰降落光刻尺寸的综合身分，比如光刻胶，比如车间环境供电电压等等。
从九十年代中期开端，直到梁远偷渡之前，光刻机的光源一向保持在193nm已经靠近二十年，能够说直到或人偷渡位面那一刻，环球统统支流手机、电脑、平板、超等计算机、显卡、路由器的主芯片仍旧是193nm光源光刻出来的，193nm光源成了人类信息期间超高速生长中第一块固执稳定的基石。
将来的互联网期间有句传播很广的大实话，只要吊丝才做挑选题，土豪向来都是全要，港基集电就是环球电子财产中的吊丝，哪有精力在四个阵营全数投入研发经费，能死守住一个阵营不被落下太远就已经谢天谢地了。
光刻机是晶圆出产线中最为核心的出产设备，生长过程也是颠末端数代的更迭。
九十年代中期，跟着晶圆出产线线宽的进一步降落，193nm波长的 DUV 激光开端崭露头角，Duv激光也是闻名的ArF准分子激光，包含医治远视眼手术在内的多种跨行业工程利用都利用这类激光，相干激光产生器和光学镜片等技术都比较成熟。
普通来讲，九十年代初期，支流技术的光刻机每小时加工的晶圆数量约莫150至200片之间，而电子束直写技术加工晶圆的数量约莫为每小时三至五片，最坑爹的是跟着将来芯片的庞大程度快速进步，港基集电预估电子束直写技术的加工才气还会可骇从每小时三至五片晶圆降落为每小时加工三至五枚芯片的程度。
除了憋屈死掉的157光源以外，13.5nm EUV LLC也是梁远偷渡之前人类技术上限中最有能够投入到大范围贸易利用中的光源，这个阵营包含英特尔、AMD、摩托罗拉、美国能源部、ASML、英飞凌、Micron等。
港基集电作为共和国独一一家能摸到财产前沿尾巴的微电子个人，内部对将来的技术线路天然也是争论不竭，有站队193nm决定只看面前的，有站队153nm的，比拟193nm晋升25%也是晋升对不对，比拟极紫外光反射式Euv光刻，153nm设备的研发难度真是缩小了一个数量级，看起来是个弯道超车的好计划。
自1975年摩尔定律或者叫做摩尔预言成熟起，环球半导体财产沿着摩尔博士给出的这条科技通衢一起疾走了二十多年，直到二十世纪的末期才撞上了一道没法冲破的铁壁～～193nm，光刻机光源在这个波长上卡了足有小二十年，英特活着纪之交被吐槽成牙膏厂只是光刻机技术留步不前时消耗范畴产生的一线反应罢了。
普通来讲，科技的前沿以大学为主多处置根本科技研发，根本科技常常抢先财产利用十几年乃至上百年的时候，比如爱因斯坦的质能方程和相对论，财产的前沿则是以大学定向尝试室和各种企业研讨所为主，尝试室技术根基就是将来的产业界支流技术，常常抢先产业界现有技术五至十年，比如诺基亚尝试室在2000年曾经在尝试室中搞出了和苹果手机近似的小我电子终端，可惜被诺基亚高管枪毙掉了。
初期的摩尔定律是预言集成电路密度每年翻倍，直到1975年摩尔定律才改成将来人尽所知的每十八个月。
NA代表着镜头的数值孔径这玩意的学术描述比较庞大，简朴的说就是NA值越大透光越多辩白率越高。
看起来这么牛X的技术为啥被港基集电高管第一时候毙掉了？